Diodes Incorporated - DMN2050LFDB-13

KEY Part #: K6525022

DMN2050LFDB-13 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [595450पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.06212
  • 10,000 pcs$0.05520

भाग संख्या:
DMN2050LFDB-13
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2050LFDB-13 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMN2050LFDB-13
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 3.3A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 45 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 12nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 389pF @ 10V
पावर - अधिकतम : 730mW
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 6-UDFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : U-DFN2020-6 (Type B)

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