Vishay Siliconix - SI1033X-T1-GE3

KEY Part #: K6522259

SI1033X-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [507881पीसी स्टक]

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  • 3,000 pcs$0.07283

भाग संख्या:
SI1033X-T1-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, Thyristors - SCRs, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1033X-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SI1033X-T1-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 P-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 145mA
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 8 Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 1.5nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : -
पावर - अधिकतम : 250mW
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : SOT-563, SOT-666
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SC-89-6

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