Vishay Siliconix - SQJ504EP-T1_GE3

KEY Part #: K6525214

SQJ504EP-T1_GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [133641पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.27677

भाग संख्या:
SQJ504EP-T1_GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ504EP-T1_GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SQJ504EP-T1_GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N and P-Channel
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 30A (Tc)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 7.5 mOhm @ 8A, 10V, 17 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 30nC @ 10V, 85nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
पावर - अधिकतम : 34W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : PowerPAK® SO-8 Dual
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PowerPAK® SO-8 Dual

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