Diodes Incorporated - ZXMHC3A01N8TC

KEY Part #: K6523305

ZXMHC3A01N8TC मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [179158पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.20645
  • 2,500 pcs$0.18272

भाग संख्या:
ZXMHC3A01N8TC
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMHC3A01N8TC उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : ZXMHC3A01N8TC
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2.17A, 1.64A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 125 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 3.9nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 190pF @ 25V
पावर - अधिकतम : 870mW
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SOP

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