Diodes Incorporated - BSS8402DWQ-7

KEY Part #: K6522231

BSS8402DWQ-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [545473पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.06781
  • 3,000 pcs$0.06069

भाग संख्या:
BSS8402DWQ-7
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET N/P-CH 60V/50V.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS8402DWQ-7 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BSS8402DWQ-7
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET N/P-CH 60V/50V
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N and P-Channel
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V, 50V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 115mA, 130mA
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 13.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 50pF @ 25V
पावर - अधिकतम : 200mW
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-363

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