ZXMN10A08DN8TA मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [178163पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.20864
- 500 pcs$0.20761
- भाग संख्या:
- ZXMN10A08DN8TA
- निर्माता:
- Diodes Incorporated
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8TA electronic components. ZXMN10A08DN8TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN10A08DN8TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMN10A08DN8TA उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
ZXMN10A08DN8TA
निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
2 N-Channel (Dual)
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
1.6A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
250 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2V @ 250µA (Min)
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
7.7nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
405pF @ 50V
पावर - अधिकतम :
1.25W
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SOP
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तातो पार्ट्स
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- VMM1000-01P
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- PMDPB65UP,115
- SP8M10TB
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