ON Semiconductor - EFC4618R-P-TR

KEY Part #: K6523687

[4082पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    EFC4618R-P-TR
    निर्माता:
    ON Semiconductor
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET 2N-CH EFCP1818.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - TRIACs, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in ON Semiconductor EFC4618R-P-TR electronic components. EFC4618R-P-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EFC4618R-P-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EFC4618R-P-TR उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : EFC4618R-P-TR
    निर्माता : ON Semiconductor
    वर्णन : MOSFET 2N-CH EFCP1818
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
    FET फिचर : Logic Level Gate, 2.5V Drive
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : -
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : -
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : -
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : -
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 25.4nC @ 4.5V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : -
    पावर - अधिकतम : 1.6W
    अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    प्याकेज / केस : 4-XBGA, 4-FCBGA
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : EFCP1313-4CC-037

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