Diodes Incorporated - DMN61D8LVTQ-13

KEY Part #: K6522511

DMN61D8LVTQ-13 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [518699पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.07131
  • 10,000 pcs$0.06284

भाग संख्या:
DMN61D8LVTQ-13
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN61D8LVTQ-13 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMN61D8LVTQ-13
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 630mA
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 0.74nC @ 5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 12.9pF @ 12V
पावर - अधिकतम : 820mW
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TSOT-26

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