Diodes Incorporated - DMT3009LDT-7

KEY Part #: K6522444

DMT3009LDT-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [210942पीसी स्टक]

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  • 3,000 pcs$0.15140

भाग संख्या:
DMT3009LDT-7
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT3009LDT-7 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMT3009LDT-7
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 30A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 11.1 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 20nC @ 15V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1500pF @ 15V
पावर - अधिकतम : 1.2W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-VDFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : V-DFN3030-8 (Type K)

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