PMXB360ENEAZ मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [735924पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.05026
- 5,000 pcs$0.04383
- भाग संख्या:
- PMXB360ENEAZ
- निर्माता:
- Nexperia USA Inc.
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMXB360ENEAZ electronic components. PMXB360ENEAZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMXB360ENEAZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMXB360ENEAZ उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
PMXB360ENEAZ
निर्माता :
Nexperia USA Inc.
वर्णन :
MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
80V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
1.1A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
450 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.7V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
4.5nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
130pF @ 40V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
400mW (Ta), 6.25W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
DFN1010D-3
प्याकेज / केस :
3-XDFN Exposed Pad
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
- AON4705L
- IPP084N06L3GHKSA1
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- NTB13N10T4G
- NTB30N06LT4
- SPA11N60C3IN
- IRFSL59N10D
- IRFBC30AS
- IRFSL4127PBF
- IPB160N08S403ATMA1
- BSC093N15NS5ATMA1
- IPP100N08S207AKSA1
- AUIRF4104
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- SIR640ADP-T1-GE3
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