TPS1120DR मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [103246पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.38943
- 2,500 pcs$0.38750
- भाग संख्या:
- TPS1120DR
- निर्माता:
- Texas Instruments
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Texas Instruments TPS1120DR electronic components. TPS1120DR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPS1120DR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPS1120DR उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
TPS1120DR
निर्माता :
Texas Instruments
वर्णन :
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
2 P-Channel (Dual)
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
15V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
1.17A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
5.45nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
-
पावर - अधिकतम :
840mW
अपरेटिंग तापमान :
-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SOIC
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