SSM6J503NU,LF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [745784पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.04960
- भाग संख्या:
- SSM6J503NU,LF
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and Thyristors - SCRs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU,LF electronic components. SSM6J503NU,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6J503NU,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6J503NU,LF उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SSM6J503NU,LF
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
श्रृंखला :
U-MOSVI
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
6A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
32.4 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
12.8nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
840pF @ 10V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
6-UDFNB (2x2)
प्याकेज / केस :
6-WDFN Exposed Pad
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